PVA BRUSH
반도체 웨이퍼의 오염 불량을 제어하는 최적의 솔루션
제품소개
PVA BRUSH
PVA BRUSH
어떠한 불순물도 용납할 수 없는 반도체 산업에서 CMP 공정 후 발생하는 오염 Defect을 해결하는 것은 수율 향상의 핵심이며, 그 중심에는기능성 PURIENCE PVA brush가 있습니다.
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PVA BRUSH 특징
습윤 시 높은 탄력성
다양한 Brush 모양 제조 가능
기공 크기 조절 가능
기계적 물성 우수 및 내마모성
햇빛과 자외선에 강함
습윤 상태일 때 80℃, 건조 상태일 때 120℃의 내열성
먼지 발생이 없음
12~18배의 수분 흡수 가능
기공이 open cell 형태로 연결
PVA 브러쉬 사양
품번
품번
품번
TC70-MA31-H218
PURIENCE_70-31_BRUSH_AMAT
70mm X 31mm X 218mm
TC60-OD32-H254
PURIENCE_60-32_BRUSH_LAM
60mm X 32mm X 254mm
TC38-EP18-H218
PURIENCE_38-18_BRUSH_EBARA
38mm X 18mm X 218mm
TC60-OD32-H254
PURIENCE_38-18_BRUSH_EBARA0
38mm X 18mm X 218mm
TC38-EP18-H218
PURIENCE_300A_CONNECTED_BRUSH_AMAT
70mm X 31mm X 318mm
PHYSICAL PROPERTY 물리적 특성
규격
200MM(8inch)
300MM(12inch)
이미지
평균기공크기(㎛)
25㎛,96㎛
80㎛
기공률(%)
88-90%
90%
수분흡수율(%)
700-1100%
817%
진밀도(g/cm3)
1.2436g/cm3
1.3016g/cm3
CHEMICAL RESISTANCE 내화학성
Chemical
Consertration
Chemical
Concentration
Acetic acid
<3%
Isopropanol
<8%
Acetone
<20%
Methyl ethyl ketone
<10%
Ammonium hydroxide
<20%
Methanol
<20%
Citric acid
<10%
Phosphoric acid
<5%
EDTA
<10%
Sodium hydroxide
<5%
Ethanol
<10%
Sulfuric acid
<5%
Hydrochloric acid
<3%
Tetrahydrofuran
Attacked
Hydrofluoric acid
<5%
Xylene
Slight hardening
Hydrogen peroxide
<5%
-
-
CONTAMINATION 금속/이온오염
Ion
Concentration(ppb)
Br-
<0.5
Cl-
<0.7
F-
<0.5
NO3-
<0.5
SO42-
<0.5
Na+
<0.5
Li+
<0.2
K+
<0.5
Ca2+
<0.5
Mg2+
<0.2
Ion
Concentration(ppb)
Li
0.02
Na
0.02
K
0.02
Mg
0.02
Ca
0.03
Al
0.005
Cu
0.005
W
0.005
Cr
0.009
Fe
0.009